LED元件的过压过流损坏与干扰能量的发生次数或持续时间长短无关，因为任何一次过压过流干扰都可能导致LED损坏。这种损坏可以表现为器件立即失效，也可能在发生过压过流干扰后许久才失效。LED芯片的小型化和LED灯具内部电器结构的复杂化正在使这一问题变得更加严重。
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LED芯片基础知识
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LED芯片种类及介绍
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为了应对这种挑战，设计了一种新型的色温可调LED,利用大功率LED芯片结合金属基板封装出了色温可调的暖白光高显色指数LED样品，对其发光光谱、色温和显色指数随电流的变化进行了测试
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近年来，随着LED芯片材料的发展，以及取光结构、封装技术的优化，单芯片尺寸的功率(W)越做越高，芯片的光效(lm/W)、性价比(lm/$)也越来越好，在这样的背景支持之下，LED芯片的微小化已成趋势。
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本文主要介绍使用红外热像仪以及特殊配件对LED芯片内部进行检测，通过对内部的温度分布分析，改善设计，提高LED产品质量。
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LED芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(Wafer Fabrication)、晶圆针测工序(Wafer Probe)、构装工序(Packaging)、测试工序(Initial Test andFinal Test)等几个步骤。其中晶圆处理工序和晶圆针测工序为前段(Front End)工序，而构装工序、测试工序为后段(Back End)工序。
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基于机器视觉的LED芯片检测方法...
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在LED上游芯片厂忙着Flip-chip练功的同时，LED封装厂2013年也没闲着，在封装制程中导入EMC(Epoxy Molding Compound)支架成为各家一致的目标。
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主要分析的光学部分：LED芯片、反射杯、封装硅胶或者环氧、荧光胶以及透镜。
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LED作为一种新型的照明技术，具有耗能低、寿命长、体积小、可调光、控制灵活和环保等优点，其应用前景举世瞩目。随着LED价格的下降，市场逐渐打开，越来越多的照明产品使用LED作为光源。特别是在道路照明领域，大功率LED产品成为市场的主角，LED在户外照明领域大放异彩
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硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究
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内部量子效率不高。也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使PN区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热能，但这部分不占主要成分，因为现在内部光子效率已经接近90%。
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LED芯片的制造流程是怎样的？LED芯片制造工序中，哪些工序对其光电性能有较重要的影响？用于半导体照明的芯片技术的发展主流是什么？什么是“倒装芯片”？它的结构如何？有哪些优点？下面给你详细解答，全面了解LED芯片知识。
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本文从技术层面来分析为什么当今LED路灯进展受阻的原因：现LED路灯光源散热片所选的结构，在一大铝板块背上，竖着许多散热肋片的结构，是一种自然对流散热性能最差的结构，造成LED芯片的防水防湿的结构复杂，又不适合电源散热和防雨水，加重了整个路灯重量，推高了成本造价，是导致当今LED路灯走向深渊的技术层面上的根本原因。
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